| 型號(hào): | SIIPB0029 |
| 廠商: | Silicon Image, Inc. |
| 英文描述: | Fibre Channel Quad SerDes |
| 中文描述: | 光纖通道四的SerDes |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
| 文件大小: | 983K |
| 代理商: | SIIPB0029 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SII2024 | Fibre Channel Quad SerDes |
| SIL104-100 | SMT Power Inductor |
| SIL104-101 | SMT Power Inductor |
| SIL104-150 | SMT Power Inductor |
| SIL104-151 | SMT Power Inductor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SIIRFR224PBF | 制造商:KERSEMI 制造商全稱(chēng):Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET |
| SIJ400DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 32A 69.4W 4.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIJ420DP | 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| SIJ420DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SIJ458DP | 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |