| 型號： | SIHB30N60E-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 29A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫歐 @ 15A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | D²PAK |
| 包裝： | 管件 |