參數(shù)資料
型號： SIE8000/3600-4
廠商： SEMIKRON INTERNATIONAL
元件分類： 整流器
英文描述： 4 A, 24000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC PACKAGE-1
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： SIE8000/3600-4
High voltage rectifiers
Si-E 8000_3600-4
Forward Current: 4 A
Reverse Voltage: to 24000 V
Publish Data
Features
Typical Applications
Mechanical Data
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
Dimensions in mm
Si-E 8000_3600-4
1
10-04-2006 SCT
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SIH31-10 150 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SJ3595-1 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
SX3595-1 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
SV3595-1 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
SJ3595US-1 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SIE800DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 90A 104W 7.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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