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參數資料
| 型號： | SIDC02D60F6 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | 1.30 X 1.30 MM, DIE-1 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | SIDC02D60F6 |
SIDC02D60F6
Edited by INFINEON Technologies, IMM PSD, L4314M, Edition 2.1, 09.03.2010
Chip Drawing
A: Anode pad
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIDC04D60F6 | 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SIL31-01R | 250 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SIYB60 | 0.4 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SJ5418 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SJ5617UL | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SIDC02D60F6_10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching diode |
| SIDC02D60F6ZJ | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 600V 3A 2-Pin Die |
| SIDC03D120F6 | 功能描述:DIODE FAST SWITCH 1200V 2A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| SIDC03D120H6 | 功能描述:DIODE FAST SW 1200V 3A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| SIDC03D60C6 | 功能描述:DIODE FAST SW 600V 10A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
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