| 型號： |
SIB452DK-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： |
2/9頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
SIA, SIB Series SC70-6, SC75-6
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
190V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
1.5A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
2.4 歐姆 @ 500mA，4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
1.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
6.5nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
135pF @ 50V
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| 功率 - 最大： |
13W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
PowerPAK? SC-75-6L
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
PowerPAK? SC-75-6L 單
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1661 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
SIB452DK-T1-GE3DKR
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