| 型號： |
SIA814DJ-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： |
3/12頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
Mosfet SC70-6, SC75-6 Package
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點： |
二極管（隔離式）
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
4.5A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
61 毫歐 @ 3.3A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
1.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
11nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
340pF @ 10V
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| 功率 - 最大： |
6.5W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
PowerPAK? SC-70-6 雙
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
PowerPAK? SC-70-6 雙
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1661 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
SIA814DJ-T1-GE3DKR
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