參數(shù)資料
型號： SI9947DY
英文描述： Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
中文描述： 雙P溝道增強(qiáng)型MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 87K
代理商： SI9947DY
Si9947DY
Siliconix
S-47958—Rev. F, 15-Apr-96
3
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
–50
0
50
100
150
0
0.08
0.16
0.24
0.32
0
2
4
6
8
10
0
500
1000
1500
2000
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
–55 C
V
GS
= 10 V
C
rss
C
oss
C
iss
V
GS
= 4.5 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.5 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.5 A
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
2 V
3 V
25 C
4 V
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PDF描述
SI9956DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
SIDAC silicon bilateral voltage triggered switch
SIM-080CYU LED DOT MATRIX MODULE
SIM-128CAH LED DOT MATRIX MODULE
SIM-128CAN Box-shaped pin header, Discrete wire crimping connection, Discrete wire connectors; HRS No: 536-0010-5 00; No. of Positions: 11; Connector Type: Wire; Contact Gender: Female; Contact Spacing (mm): 1.25; Terminal Pitch (mm): 1.25; Current Rating(Amps)(Max.): 1; Operating Temperature Range (degrees C): -35 to 85; General Description: Housing; Single row; Crimping
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參數(shù)描述
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