| 型號(hào)： |
SI8447DB-T2-E1 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： |
1/9頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
TrenchFET® |
| FET 型： |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
11A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
75 毫歐 @ 1A，4.5V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1.2V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
25nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
600pF @ 10V
|
| 功率 - 最大： |
13W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
6-MICRO FOOT?
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
6-Micro Foot?
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
SI8447DB-T2-E1DKR
|