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參數(shù)資料
| 型號： | SI8415DB-T1-E1 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | P溝道12 V的（副）MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | SI8415DB-T1-E1 |
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
New MICRO FOOT Chipscale Packaging
Reduces Footprint Area Profile (0.62 mm) and
On-Resistance Per Footprint Area
Ultra-Low On-Resistance
APPLICATIONS
Load Switch, Charger Switch, and PA Switch for
Portable Devices
Si8415DB
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 73210
S-50037—Rev. A, 17-Jan-05
www.vishay.com
1
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
Q
g
(Typ)
0.037 @ V
GS
=
4.5 V
7.3
12
0.046 @ V
GS
=
2.5 V
6.6
19
0.060 @ V
GS
=
1.8 V
5.8
MICRO FOOT
3
2
4
1
S
D
D
G
Bump Side View
Backside View
Device Marking: 8415
xxx = Date/Lot Traceability Code
8415
xxx
Ordering Information: Si8415DB-T1—E1
S
G
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
7.3
5.3
T
A
= 70 C
5.9
4.3
A
Pulsed Drain Current
I
DM
25
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.5
1.3
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.77
1.47
W
T
A
= 70 C
1.77
0.94
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
Package Reflow Conditions
b
VPR
215
C
IR/Convection
220
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec
R
thJA
35
45
Steady State
72
85
C/W
Maximum Junction-to-Foot (drain)
Steady State
R
thJF
16
20
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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