參數(shù)資料
型號： SI8401DB
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Single P-Channel MOSFET;
中文描述： 單P溝道MOSFET
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： SI8401DB
Si8401DB
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71674
S-40384—Rev. F, 01-Mar-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
0.001
0
40
80
60
10
Single Pulse Power, Juncion-To-Ambient
Time (sec)
20
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 72 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
3
10
2
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
0.01
0.1
1
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI8402DB 20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI8402DB-T1 20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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SI8440 QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR
SI8440-A-IS QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR
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參數(shù)描述
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SI8401DB-T1-E1 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI8401DB-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI8401DB-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI-8401L 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Switching Mode Regulator 4-Pin 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:IC REG BUCK 5V 0.5A EI-12.5
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