參數(shù)資料
型號: SI7994DP-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 3/9頁
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描述: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC
產(chǎn)品目錄繪圖: 8-SOIC Mosfet Package
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.6 毫歐 @ 20A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 15V
功率 - 最大: 3.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SI7994DP-T1-GE3DKR