參數(shù)資料
型號： SI7991DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道30V的（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 71K
代理商： SI7991DP
Si7991DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72515
S-32127—Rev. B, 27-Oct-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
0.02
0.05
Single Pulse
相關PDF資料
PDF描述
SI7991DP-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI8251 DIGITAL POWER CONTROLLER
SI8251-IM DIGITAL POWER CONTROLLER
SI8251-IQ DIGITAL POWER CONTROLLER
SI8252 DIGITAL POWER CONTROLLER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI7991DP-T1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7994DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7994DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 60A 46W 5.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7997DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI7997DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*