| 型號(hào)： | SI7964DP-T1-GE3 |
| 廠(chǎng)商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 6.1A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫歐 @ 9.6A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK? SO-8 雙 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |