| 型號： | SI7956DP-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 150V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫歐 @ 4.1A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK? SO-8 雙 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | SI7956DP-T1-GE3DKR |