參數(shù)資料
型號(hào): SI7948DP-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH DL 60V PWRPAK 8-SOIC
產(chǎn)品目錄繪圖: 8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 毫歐 @ 4.6A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
功率 - 最大: 1.4W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SI7948DP-T1-GE3DKR