| 型號(hào)： |
SI7913DN-T1-GE3 |
| 廠(chǎng)商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
10/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
TrenchFET® |
| FET 型： |
2 個(gè) P 溝道（雙）
|
| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門(mén)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
5A
|
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
37 毫歐 @ 7.4A，4.5V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
24nC @ 4.5V
|
| 功率 - 最大： |
1.3W
|
| 安裝類(lèi)型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
PowerPAK? 1212-8 雙
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
PowerPAK? 1212-8 Dual
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱(chēng)： |
SI7913DN-T1-GE3DKR
|