參數(shù)資料
型號(hào)： Si7892DP-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： SI7892DP-T1
Si7892DP
Vishay Siliconix
Document Number: 71773
S-31727—Rev. B, 18-Aug-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0
2
4
6
8
10
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1000
2000
3000
4000
0
6
12
18
24
30
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
-
r
D
)
I
D
- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
1.0
1.2
1
10
60
0.00
0.2
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
-
I
S
I
D
= 25 A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
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PDF描述
SI7913DN Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI7894DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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