參數(shù)資料
型號： SI7882DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道減少Q(mào)g和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： SI7882DP
Si7882DP
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71858
S-21194
—
Rev. C, 29-Ju1-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
10
- 3
10
- 2
1
10
600
10
- 1
10
- 4
100
0.001
0
1
200
80
120
10
0.01
Single Pulse Power
Time (sec)
40
160
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 67 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
Notes:
P
DM
10
- 3
10
- 2
1
10
10
- 1
10
- 4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
0.1
0.05
Single Pulse
0.02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si7888DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI7892DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si7892DP-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI7913DN Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si7913DN-T1-E3 Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7882DP-T1 功能描述:MOSFET 12V 22A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7882DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7882DP-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI7882DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7884BDP-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 58A 46W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*