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    參數(shù)資料
    

    


    


    
型號(hào)：
SI7629DN-T1-GE3

    

    
廠商：
Vishay Siliconix

    

    
文件頁(yè)數(shù)：
13/13頁(yè)

    

    
文件大小：
0K

    

    
描述：
MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK

    

    
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1

    

    
系列：
TrenchFET®

    

    
FET 型：
MOSFET P 通道，金屬氧化物
    		

    

    
FET 特點(diǎn)：
標(biāo)準(zhǔn)
    		

    

    
漏極至源極電壓(Vdss)：
20V
    		

    

    
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：
35A
    		

    

    
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
4.6 毫歐 @ 20A，10V
    		

    

    
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：
1.5V @ 250µA
    		

    

    
閘電荷(Qg) @ Vgs：
177nC @ 10V
    		

    

    
輸入電容 (Ciss) @ Vds：
5790pF @ 10V
    		

    

    
功率 - 最大：
52W
    		

    

    
安裝類型：
表面貼裝
    		

    

    
封裝/外殼：
PowerPAK? 1212-8
    		

    

    
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? 1212-8
    		

    

    
包裝：
標(biāo)準(zhǔn)包裝

    

    
其它名稱：
SI7629DN-T1-GE3DKR