參數(shù)資料
型號： SI7456DP-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： SI7456DP-T1
Si7456DP
Vishay Siliconix
Document Number: 71603
S-31989—Rev. D, 13-Oct-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-
r
D
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
10
20
30
40
50
60
0.5
0.8
1.1
1.4
1.7
2.0
2.3
2.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
6
12
18
24
30
36
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0
8
16
24
32
40
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 50 V
I
D
= 9.3 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
V
GS
= 6.0 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 9.3 A
40
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SI7464DP N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET
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參數(shù)描述
SI7456DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 9.3A 5.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7456DP-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI7456DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7456DP-TI-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N, SO-8 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):8.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:1.9W ;RoHS Compliant: Yes
SI7457DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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