參數(shù)資料
型號： SI7452DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下局副局長）快速開關MOSFET
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 196K
代理商： SI7452DP
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si7452DP
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
3.7
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
651
A
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 10 V, I
D
= 19.3 A
0.0063
0.007
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 15 V, I
D
= 19.3 A
57
51
S
Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
= 4.5 A, V
GS
= 0 V
0.84
0.80
V
Total Gate Charge
Q
g
112
105
Gate-Source Charge
Q
gs
40
40
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V, I
D
= 19.3 A
21
21
nC
Turn-On Delay Time
t
d(on)
65
45
Rise Time
t
r
19
15
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
82
90
Fall Time
t
f
V
DD
= 30 V, R
L
= 30
I
D
1 A, V
GEN
= 10 V, R
G
= 6
26
40
ns
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
2
www.vishay.com
Document Number: 72989
S-60145
Rev. B, 13-Feb-06
相關PDF資料
PDF描述
SI7456DP 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI7456DP-T1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI7458DP N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7461DP P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7461DP-T1-E3 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI7452DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 19.3A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7452DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7454CDP-T1-GE3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SI7454DDP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100volt 33mOhms@10V 21A N-Ch T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7454DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
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