參數(shù)資料
型號(hào)： Si7409DN
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 45K
代理商： SI7409DN
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
New Low Thermal Resistance PowerPAK
Package with Low 1.07-mm Profile
V
DS
Optimized for Load Switch
APPLICATIONS
Load Switch
Si7409DN
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72127
S-03372—Rev. A, 03-Mar-03
www.vishay.com
1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
-30
0.019 @ V
GS
= -4.5 V
-11
0.031 @ V
GS
= -2.5 V
-8.5
P-Channel MOSFET
D
G
S
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
3.30 mm
3.30 mm
PowerPAK 1212-8
Bottom View
Ordering Information:
Si7409DN-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-11
-7
T
A
= 85 C
-7.9
-5
A
Pulsed Drain Current
I
DM
-30
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-3.2
-1.3
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.8
1.5
W
T
A
= 85 C
2.0
0.8
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
26
33
Steady State
65
81
C/W
Maximum Junction-to-Case
Steady State
R
thJC
1.9
2.4
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7414DN N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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Si7423DN P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI7411DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 11.4A 3.6W 19mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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