參數(shù)資料
型號: SI7216DN-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 3/14頁
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描述: MOSFET DL N-CH 40V PPAK 1212-8
產(chǎn)品目錄繪圖: PowerPak 1212-8 Bottom
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫歐 @ 5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 670pF @ 20V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8 雙
供應商設備封裝: PowerPAK? 1212-8 Dual
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SI7216DN-T1-GE3DKR