| 型號： | SI7107DN-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.8 毫歐 @ 15.3A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 450µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供應商設(shè)備封裝： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | SI7107DN-T1-GE3DKR |