參數(shù)資料
型號(hào): SI6993DQ-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 4/11頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 31 毫歐 @ 4.7A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
功率 - 最大: 830mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-TSSOP
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: SI6993DQ-T1-GE3DKR