參數(shù)資料
型號： SI6966EDQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET, ESD Protected
中文描述： N溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的ESD保護(hù)
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 198K
代理商： SI6966EDQ
SPICE Device Model Si6966EDQ
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2
Document Number: 70074
22-Oct-04
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Typical
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
0.923
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
120
A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 5.2 A
0.02
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 4.5 A
0.027
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 10 V, I
D
= 5.2 A
19.5
S
I
S
= 1.25 A, V
GS
= 0 V
0.65
Schottky Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
= 1.25 A, V
GS
= 0 V, T
j
= 125
°
C
0.57
V
Dynamic
b
Total Gate Charge
b
Q
g
13.4
Gate-Source Charge
b
Q
gs
2.1
Gate-Drain Charge
b
Q
gd
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V, I
D
= 5.2 A
5.7
nC
Turn-On Delay Time
b
t
d(on)
0.35
Rise Time
b
t
r
76
Turn-Off Delay Time
b
t
d(off)
131
Fall Time
b
t
f
V
DD
= 10 V, R
L
= 10
I
D
1 A, V
GEN
= 4.5 V, R
G
= 6
290
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= 1.25 A, di/dt = 100 A/
μ
s
210
ns
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SI6968BEDQ-T1 Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
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參數(shù)描述
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