參數(shù)資料
型號: SI6926ADQ-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 7/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP
產(chǎn)品目錄繪圖: DQ-T1-E3 Series 8-TSSOP
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.1A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 30 毫歐 @ 4.5A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
功率 - 最大: 830mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝: 8-TSSOP
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SI6926ADQ-T1-GE3DKR