| 型號(hào)： | SI6924AEDQ-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 28V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫歐 @ 4.6A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-TSSOP |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | SI6924AEDQ-T1-GE3DKR |