| 型號： |
SI6423DQ-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： |
4/11頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
DQ-T1-E3 Series 8-TSSOP
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
12V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
8.2A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
8.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
800mV @ 400µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
110nC @ 5V
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| 功率 - 最大： |
1.05W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
8-TSSOP
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1665 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
SI6423DQ-T1-GE3DKR
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