| 型號(hào)： |
SI5519DU-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
1/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
PowerPAK ChipFET Dual
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
N 和 P 溝道
|
| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
6A，4.8A
|
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
36 毫歐 @ 6.1A，4.5V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1.8V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
17.5nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
660pF @ 10V
|
| 功率 - 最大： |
2.27W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
PowerPAK? CHIPFET? 雙
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
PowerPAK? ChipFet 雙
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： |
1666 (CN2011-ZH PDF)
|
| 其它名稱： |
SI5519DU-T1-GE3DKR
|