| 型號(hào)： | SI5511DC-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 1206-8 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 4A，3.6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫歐 @ 4.8A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 7.1nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W，2.6W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SMD，扁平引線 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 1206-8 ChipFET? |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | SI5511DC-T1-GE3DKR |