| 型號(hào)： |
SI5403DC-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
1/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
DC-T1-E3 Series 1206-8
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
30V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
6A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
30 毫歐 @ 7.2A，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
3V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
42nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1340pF @ 15V
|
| 功率 - 最大： |
6.3W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
8-SMD，扁平引線
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
1206-8 ChipFET?
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： |
1664 (CN2011-ZH PDF)
|
| 其它名稱： |
SI5403DC-T1-GE3DKR
|