參數(shù)資料
型號(hào)： SI4911DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 201K
代理商： SI4911DY
Vishay Siliconix
2
SPICE Device Model Si4911DY
www.vishay.com
Document Number: 72191
S-52285
Rev. B, 31-Oct-05
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
μ
A
0.62
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
=
5 V, V
GS
=
4.5 V
201
A
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
8.4 A
0.015
0.015
V
GS
=
2.5 V, I
D
=
7.6 A
0.019
0.018
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
=
1.8 V, I
D
=
3 A
0.023
0.023
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
=
10 V, I
D
=
8.4 A
33
35
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
=
1.7 A, V
GS
= 0 V
0.80
0.70
V
Total Gate Charge
Q
g
33
33
Gate-Source Charge
Q
gs
4
4
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
=
10 V, V
GS
=
4.5 V, I
D
=
8.4 A
7.8
7.8
nC
Turn-On Delay Time
t
d(on)
32
30
Rise Time
t
r
32
35
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
272
280
Fall Time
t
f
V
DD
=
10 V, R
L
= 10
I
D
1 A, V
GEN
=
4.5 V, R
G
= 6
43
140
ns
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4913DY Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si4920DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4920DY Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
SI4921DY Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Si4921DY Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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