參數(shù)資料
型號(hào)： Si4894DY
廠商： National Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages
中文描述： N溝道場效應(yīng)管同步降壓穩(wěn)壓控制器輸出電壓低
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： SI4894DY
SPICE Device Model Si4894DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71598
17-May-04
www.vishay.com
3
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
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PDF描述
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參數(shù)描述
SI4894DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4894DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4894DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4896DY 功能描述:MOSFET 80V 9.5A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4896DY_06 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
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