參數(shù)資料
型號(hào)： Si4894DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 129K
代理商： SI4894DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2
Document Number: 71598
17-May-04
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Typical
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
1.25
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
398
A
V
GS
= 10 V, I
D
= 12.5 A
0.010
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 10.2 A
0.015
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 15 V, I
D
= 12.5 A
31
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
= 2.7 A, V
GS
= 0 V
0.70
V
Total Gate Charge
Q
g
19.2
Gate-Source Charge
Q
gs
3
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V, I
D
= 12.5 A
4.5
nC
Turn-On Delay Time
t
d(on)
10
Rise Time
t
r
15
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
22
Fall Time
t
f
V
DD
= 15 V, R
L
= 15
I
D
1 A, V
GEN
= 10 V, R
G
= 6
40
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= 2.7 A, di/dt = 100 A/
μ
s
30
ns
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si4894DY N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages
SI4900DY N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4911DY Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4913DY Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si4920DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4894DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4894DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4894DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4896DY 功能描述:MOSFET 80V 9.5A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4896DY_06 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
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