參數(shù)資料
型號： SI4884
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ logic level FET
中文描述： 12 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： SI4884
Philips Semiconductors
SI4884
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 12 April 2002
7 of 12
9397 750 09582
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
Tj (
o
C)
VGS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
1
2
3
VGS (V)
max
typ
min
Ciss
Coss
Crss
102
103
104
C
(pF)
1
10
102
10-1
VDS (V)
003aaa165
VSD (V)
IS
(A)
1
20
4
8
12
16
0
25
ο
C
0.4
0.6
0.8
150
ο
C
003aaa166
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