參數(shù)資料
型號： SI4561DY-T1-E3
廠商： Vishay Siliconix
文件頁數(shù)： 5/15頁
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描述： MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
標準包裝： 2,500
系列： TrenchFET®
FET 型： N 和 P 溝道
FET 特點： 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)： 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： 6.8A，7.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 35.5 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）： 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs： 20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds： 640pF @ 20V
功率 - 最大： 3W，3.3W
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝： 8-SOICN
包裝： 帶卷 (TR)