參數(shù)資料
型號： SI4532DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 3.9 A, 30 V, 0.065 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 7/18頁
文件大?。?/td> 339K
代理商： SI4532DY
LXE1710 E
VALUATION
B
OARD
U
SER
G
UIDE
Microsemi
Linfinity Microelectronics Division
11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
Page 7
Copyright
2000
Rev. 1.1, 2000-12-01
E
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS
Unless otherwise specified, the following specifications apply over the operating ambient temperature 0°C<TA<70°C.
For test circuit, see LXE1710 Evaluation Board Schematic diagram.
P
ARAMETER
S
YMBOL
T
EST
C
ONDITIONS
M
IN
.
T
YP
.
M
AX
U
NITS
Supply Voltage LX1710
VDD
7
15
V
Supply Current
IDD
V
=15V, P
O
=38W, R
L
THD+N=1%
V
IN
=15V, No Input
V
=15V, R
10Hz to 22kHz
V
IN
=15V, R
L
10Hz to 22kHz
V
=15V, R
10Hz to 22kHz
V
IN
=15V, f
IN
=1kHz, P
O
=10W
3
A
Quiescent Current
IQ
43
mA
14
W
25
W
Output Power
PO
38
W
82
%
Efficiency
V
IN
=15V, f
IN
=1kHz, P
O
=20W
85
%
f
IN
=1kHz, P
O
=1W
0.05
%
Total Harmonic Distortion Plus
Noise
THD+N
f
IN
=20Hz to 20kHz, PO=1W
0.3
%
Signal-To-Noise Ratio
SNR
V
=15V, V
=1V
RMS
,
10Hz to 10kHz
81
dBV
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
-70
dB
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PDF描述
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參數(shù)描述
SI4532DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4532DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC N T/R
SI4532DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4532DY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI4539 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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