- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄376353 > Si4532ADY (Microsemi Corporation) EVALUATION KIT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Si4532ADY |
| 廠商： | Microsemi Corporation |
| 英文描述： | EVALUATION KIT |
| 中文描述： | 評(píng)估板 |
| 文件頁數(shù)： | 1/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 339K |
| 代理商： | SI4532ADY |
LXE1710 E
VALUATION
B
OARD
U
SER
G
UIDE
Microsemi
Linfinity Microelectronics Division
11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
Page 1
Copyright
2000
Rev. 1.1, 2000-12-01
A M I C R O S E M I C O M P A N Y
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4532DY | Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Si4826DY | N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages |
| Si4442DY | N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages |
| SIDC03D60C6 | Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology |
| SIDC03D60F6 | Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4532ADY | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL NP SO-8 |
| SI4532ADY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4532ADY-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:NP |
| SI4532ADY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4532ADYT1E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。