參數(shù)資料
      

      


      


      
型號(hào)：
SI4477DY-T1-GE3

      

      
廠商：
Vishay Siliconix

      

      
文件頁數(shù)：
8/10頁

      

      
文件大?。?/td>
0K

      

      
描述：
MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC

      

      
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
2,500

      

      
系列：
TrenchFET®

      

      
FET 型：
MOSFET P 通道，金屬氧化物
      		

      

      
FET 特點(diǎn)：
標(biāo)準(zhǔn)
      		

      

      
漏極至源極電壓(Vdss)：
20V
      		

      

      
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：
26.6A
      		

      

      
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
6.2 毫歐 @ 18A，4.5V
      		

      

      
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：
1.5V @ 250µA
      		

      

      
閘電荷(Qg) @ Vgs：
190nC @ 10V
      		

      

      
輸入電容 (Ciss) @ Vds：
4600pF @ 10V
      		

      

      
功率 - 最大：
6.6W
      		

      

      
安裝類型：
表面貼裝
      		

      

      
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
      		

      

      
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
8-SOICN
      		

      

      
包裝：
帶卷 (TR)