型號: |
SI4472DY-T1-GE3 |
廠商: |
Vishay Siliconix |
文件頁數(shù): |
5/10頁 |
文件大?。?/td>
| 0K |
描述: |
MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: |
1 |
系列: |
WFET® |
FET 型: |
MOSFET N 通道,金屬氧化物
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FET 特點: |
標(biāo)準(zhǔn)
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漏極至源極電壓(Vdss): |
150V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
7.7A
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開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
45 毫歐 @ 5A,10V
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Id 時的 Vgs(th)(最大): |
4.5V @ 250µA
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閘電荷(Qg) @ Vgs: |
43nC @ 10V
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輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
1735pF @ 50V
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功率 - 最大: |
5.9W
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安裝類型: |
表面貼裝
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封裝/外殼: |
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
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供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-SOICN
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包裝: |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
其它名稱: |
SI4472DY-T1-GE3DKR
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