| 型號(hào): | SI4416DY | 
| 廠商: | NXP SEMICONDUCTORS | 
| 元件分類: | 小信號(hào)晶體管 | 
| 英文描述: | N-channel enhancement mode field-effect transistor | 
| 中文描述: | 9 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012 | 
| 封裝: | PLASTIC, SO-8 | 
| 文件頁(yè)數(shù): | 4/13頁(yè) | 
| 文件大?。?/td> | 253K | 
| 代理商: | SI4416DY | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| SI4416DY | Single N-Channel MOSFET | 
| SI4800 | N-channel enhancement mode field-effect transistor | 
| SI4884 | TrenchMOS⑩ logic level FET | 
| Si4884DY | N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages | 
| SI4884DY | Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| SI4416DY_RC | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters | 
| SI4416DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| SI4416DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| SI4416DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| SI4418DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |