參數(shù)資料
型號(hào): SI4410DY
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 1/8頁
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描述: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 95
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 10A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13.5 毫歐 @ 10A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 15V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SO
包裝: 管件
其它名稱: *SI4410DY