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參數資料
| 型號： | Si4133G-BM |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
| 中文描述： | 雙波段射頻合成器集成的GSM和GPRS無線通訊和VCO |
| 文件頁數： | 9/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 466K |
| 代理商： | SI4133G-BM |
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Si4133G
Rev. 1.1
9
Figure 4. Software Power Management Timing
Diagram
Figure 5. Hardware Power Management Timing
Diagram
PDIB = 0
PDRB = 0
PDIB = 1
PDRB = 1
t
pup
t
pdn
I
T
I
PWDN
SENB
SDATA
RF and IF synthesizers settled to
w ithin 0.1 ppm frequency error.
t
pup
t
pdn
I
T
I
PWDN
PWDNB
RF and IF synthesizers settled to
within 0.1 ppm frequency error.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Si4133G-BT* | DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
| Si4123G | DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
| Si4133G | DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
| Si4112G | DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
| Si4112G-BM | DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SI4133G-BMR | 功能描述:射頻無線雜項 CONTACT SILICON LABS FOR AVAILABILITY RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| SI4133G-BT | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
| SI4133G-X2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
| SI4133GX2-BM | 功能描述:射頻無線雜項 Dual-Band Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
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