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參數(shù)資料
| 型號： | SI4123-D-GTR |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 35/36頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 類型： | 頻率合成器 |
| PLL： | 是 |
| 輸入： | 時鐘 |
| 輸出： | 時鐘 |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 比率 - 輸入:輸出： | 1:2 |
| 差分 - 輸入:輸出： | 無/無 |
| 頻率 - 最大： | 1.8GHz |
| 除法器/乘法器： | 是/無 |
| 電源電壓： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 24-TSSOP |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
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Si4133
8
Rev. 1.61
Table 5. RF and IF Synthesizer Characteristics
(VDD = 2.7 to 3.6 V, TA = –40 to 85 °C)
Parameter1
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
XIN Input Frequency
f
REF
2—
26
MHz
Reference Amplifier Sensitivity
VREF
0.5
—
VDD
+0.3 V
VPP
Phase Detector Update Frequency
f
f= fREF/R
0.010
—
1.0
MHz
RF1 VCO Center Frequency Range
fCEN
947
—
1720
MHz
RF1 VCO Tuning Range2
Extended frequency
operation
1850
—
2050
MHz
RF2 VCO Center Frequency Range
fCEN
789
—
1429
MHz
RF Tuning Range from fCEN
Note: LEXT ±10%
–5
—
5
%
IF VCO Center Frequency Range
fCEN
526
—
952
MHz
IFOUT Tuning Range
with IFDIV
62.5
—
1000
MHz
IFOUT Tuning Range from fCEN
Note: LEXT ±10%
–5
—
5
%
RF1 VCO Pushing
Open loop
—
500
—
kHz/V
RF2 VCO Pushing
—
400
—
kHz/V
IF VCO Pushing
—
300
—
kHz/V
RF1 VCO Pulling
VSWR = 2:1, all
phases, open loop
—
400
—
kHzPP
RF2 VCO Pulling
—
300
—
kHzPP
IF VCO Pulling
—
100
—
kHzPP
RF1 Phase Noise
1 MHz offset
—
–132
—
dBc/Hz
RF1 Integrated Phase Error
10 Hz to 100 kHz
—
0.9
—
degrees
rms
RF2 Phase Noise
1 MHz offset
—
–134
—
dBc/Hz
RF2 Integrated Phase Error
10 Hz to 100 kHz
—
0.7
—
degrees
rms
IF Phase Noise
100 kHz offset
—
–117
—
dBc/Hz
IF Integrated Phase Error
100 Hz to 100 kHz
—
0.4
—
degrees
rms
Notes:
1. f = 200 kHz, RF1 = 1.6 GHz, RF2 = 1.2 GHz, IFOUT = 550 MHz, LPWR = 0, for all parameters unless otherwise noted.
2. Extended frequency operation only. VDD 3.0 V, QFN only, VCO Tuning Range fixed by directly shorting the RFLA and
RFLB pins. See Application Note 41 for more details on the Si4133 extended frequency operation.
3. From powerup request (PWDN
or SEN during a write of 1 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to RF and IF
synthesizers ready (settled to within 0.1 ppm frequency error).
4. From powerdown request (PWDN
, or SENduring a write of 0 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to supply current
equal to IPWDN.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-B0Z-MY-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W |
| SI4123-D-GMR | IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP |
| VE-JTH-MZ-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 52V 25W |
| VE-B0Z-MY-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W |
| SI4122-D-GTR | IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4123-EVB | 功能描述:射頻開發(fā)工具 Single-Band RF Synth (RF1/IF) Eval TSSOP RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類型:Wireless Audio 工具用于評估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V |
| SI4123G | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
| SI4123G-BM | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI4123G-BMR | 功能描述:鎖相環(huán) - PLL CONTACT SILICON LABS FOR AVAILABILITY RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類型:PLL Clock Multiplier 電路數(shù)量:1 最大輸入頻率:710 MHz 最小輸入頻率:0.002 MHz 輸出頻率范圍:0.002 MHz to 808 MHz 電源電壓-最大:3.63 V 電源電壓-最小:1.71 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:QFN-36 封裝:Tray |
| SI4123G-BT | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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