參數(shù)資料
型號: SI4122DY-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 3/10頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC
產品目錄繪圖: DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 27.2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.5 毫歐 @ 15A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 20V
功率 - 最大: 6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1662 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SI4122DY-T1-GE3DKR