參數(shù)資料
型號(hào): SI4122-D-GTR
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù): 26/36頁
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描述: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
類型: 頻率合成器
PLL:
輸入: 時(shí)鐘
輸出: 時(shí)鐘
電路數(shù): 1
比率 - 輸入:輸出: 1:2
差分 - 輸入:輸出: 無/無
頻率 - 最大: 1.5GHz
除法器/乘法器: 是/無
電源電壓: 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 24-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 24-TSSOP
包裝: 帶卷 (TR)
Si4133
32
Rev. 1.61
9. Package Outline: Si4133-GT
Figure 19 illustrates the package details for the Si4133-GT. Table 16 lists the values for the dimensions shown in
the illustration.
Figure 19. 24-Pin Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP)
Table 16. Package Diagram Dimensions
Symbol
Millimeters
Min
Nom
Max
A—
1.20
A1
0.05
0.15
b
0.19
0.30
c
0.09
0.20
D
7.70
7.80
7.90
e
0.65 BSC
E
6.40 BSC
E1
4.30
4.40
4.50
L
0.45
0.60
0.75
10°
bbb
0.10
ddd
0.20
L
1
c
D
A1
A
b
E1 E
e
See Detail G
Detail G
12
3
ddd CB A
A
C
24
bbb
CB A
M
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VE-JTH-MZ-F1 CONVERTER MOD DC/DC 52V 25W
VE-B0Z-MX-F4 CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI4122DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 27.2A 6.0W 4.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SI4122G 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4122G-BM 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS