參數(shù)資料
型號(hào)： SI3585DV
廠(chǎng)商： Vaishali Semiconductor
英文描述： LEGEND TILES, SET B; RoHS Compliant: Yes
中文描述： N和P溝道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 67K
代理商： SI3585DV
Si3585DV
Vishay Siliconix
Document Number: 71184
S-03512—Rev. B, 04-Apr-01
www.vishay.com
1
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.125 @ V
GS
= 4.5 V
2.4
N-Channel
20
0.200 @ V
GS
= 2.5 V
1.8
0.200 @ V
GS
= –4.5 V
–1.8
P-Channel
–20
0.340 @ V
GS
= –2.5 V
–1.2
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
D2
G2
S1
S2
D1
G1
N-Channel
P-Channel
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
–20
Gate-Source Voltage
V
GS
12
12
V
T
A
= 25 C
2.4
2.0
–1.8
–1.5
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
1.7
1.4
–1.3
–1.2
Pulsed Drain Current
I
DM
8
–7
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.05
0.75
–1.05
–0.75
T
A
= 25 C
1.15
0.83
1.15
0.83
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
0.59
0.53
0.59
0.53
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
N-Channel
P-Channel
Parameter
Symbol
Typ
Max
Typ
Max
Unit
t
10 sec
93
110
93
110
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
130
150
130
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
75
90
75
90
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3948 Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
SI3948DV Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
SI4435DY 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
SI4435DY SHROUD, PRIVACY; RoHS Compliant: Yes
SI4450DY KEYPAD 4 KEY ILLUM ARROW KEYS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3585DV-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.4/1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3585DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 2.4/1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3585DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 2.4/1.8A 1.15W 125/200mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3586DV 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3586DV_08 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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