參數(shù)資料
型號： SI3445ADV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： P通道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： SI3445ADV
Si3445ADV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72859
S-40582—Rev. A, 29-Mar-04
www.vishay.com
1
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.042 @ V
GS
=
4.5 V
5.8
8
0.060 @ V
GS
=
2.5 V
4.9
0.080 @ V
GS
=
1.8 V
4.2
(4) S
(3) G
(1, 2, 5, 6) D
P-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
Ordering Information: Si3445ADV-T1—E3
Marking Code: C5XXX
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
8
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
5.8
4.4
T
A
= 70 C
4.7
3.5
A
Pulsed Drain Current
I
DM
20
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.7
0.9
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.0
1.1
W
T
A
= 70 C
1.3
0.7
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec
R
thJA
50
62.5
Steady State
90
110
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
22
30
Notes
a.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board, t
5 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3445ADV-T1-E3 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI3445DV P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
SI3447DV P-Channel 1.8V (G-S) MOSFET
SI3447BDV P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
Si3447BDV-T1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3445ADV-T1-E3 功能描述:MOSFET 8.0V 5.8A 2.0W 42 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3445ADV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 5.8A 2.0W 42mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3445DV 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3445DV_Q 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3445DV-T1 功能描述:MOSFET 8V 5.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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