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參數(shù)資料
型號： SI3232-G-FQ
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 13/128頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SLIC PROG DUAL-CH 64TQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 160
功能： 用戶線路接口概念（SLIC）
接口： ISDN
電路數(shù)： 2
電源電壓： 3.13 V ~ 3.47 V
電流 - 電源： 28mA
功率（瓦特）： 280mW
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 64-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 64-TQFP（10x10）
包裝： 托盤
Si3232
Preliminary Rev. 0.96
11
Not
Recommended
fo
r N
ew
gn
s
Table 6. Monitor ADC Characteristics
(VDD, VDD1–VDD4 = 3.13 to 3.47 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Resolution
—
8
—
Bits
Differential Nonlinearity
DNL
—
–1.0
±0.75
—
+1.5
LSB
Integral Nonlinearity
INL
—
±0.6
±1.5
LSB
Gain Error
—
±0.1
±0.25
LSB
Table 7. Si3200 Characteristics
(VDD = 3.13 to 3.47 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
TIP/RING Pulldown Transistor
Saturation Voltage
VCM
VRING – VBAT (Forward),
VTIP – VBAT (Reverse)
ILIM =22mA, IABIAS =4mA
ILIM =45mA, IABIAS =16mA
3
4
—
V
TIP/RING Pullup Transistor
Saturation Voltage
VOV
GND – VTIP (Forward)
GND – VRING (Reverse)
ILIM =22mA
ILIM =45mA
3
—
V
Battery Switch Saturation
Impedance
RSAT
(VBAT – VBATH)/IOUT (Note 2)
15
W
OPEN State TIP/RING Leakage
Current
ILKG
RL =0
100
A
Internal Blocking Diode Forward
Voltage
VF
VBAT – VBATL (Note 2)
0.8
V
Notes:
1. VAC = 2.5 VPK, RLOAD = 600 .
2. IOUT =60mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
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